雪崩光电二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310559224.1

申请日：

2013-11-12

公开(公告)号：

CN103811586B

公开(公告)日：

2014-05-21

发明(设计)人：

山口晴央竹村亮太

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L31107 H01L310352

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583071563 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2013105592241 申请日:20131112
2017-01-18	授权	授权
2014-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

竹村亮太 ;

石村荣太郎 .

中国专利 :CN103390680A ,2013-11-13

[2]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

刘东庆 .

中国专利 :CN107437570B ,2017-12-05

[3]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

名田允洋 ;

松崎秀昭 .

中国专利 :CN111052405A ,2020-04-21

[4]

雪崩光电二极管及雪崩光电二极管阵列 [P].

笹畑圭史 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN102800715A ,2012-11-28

[5]

雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

康晓旭 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN114300567A ,2022-04-08

[6]

雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

苏琳琳 ;

郁智豪 ;

杨成东 .

中国专利 :CN114242828A ,2022-03-25

[7]

雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

许敦洲 ;

金鹏 ;

王占国 .

中国专利 :CN117976739A ,2024-05-03

[8]

雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

康晓旭 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN114300567B ,2024-07-09

[9]

雪崩光电二极管及制备方法 [P].

王亮 ;

张博健 ;

秦金 ;

何伟 .

中国专利 :CN110112249A ,2019-08-09

[10]

单光子雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

张承 ;

崔大健 ;

黄晓峰 ;

柳聪 ;

张圆圆 ;

曹一 ;

田明波 ;

赵江林 ;

陈伟 ;

敖天宏 ;

迟殿鑫 .

中国专利 :CN115064602A ,2022-09-16

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