雪崩光电二极管及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910316863.2

申请日：

2019-04-18

公开(公告)号：

CN110112249A

公开(公告)日：

2019-08-09

发明(设计)人：

王亮张博健秦金何伟

申请人：

申请人地址：

230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

IPC主分类号：

H01L31107

IPC分类号：

H01L310224 H01L3118

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周天宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-09	公开	公开
2022-05-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/107 申请公布日:20190809
2019-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/107 申请日:20190418

共 50 条

[1]

雪崩光电二极管及雪崩光电二极管阵列 [P].

笹畑圭史 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN102800715A ,2012-11-28

[2]

雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

康晓旭 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN114300567A ,2022-04-08

[3]

雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

苏琳琳 ;

郁智豪 ;

杨成东 .

中国专利 :CN114242828A ,2022-03-25

[4]

雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

许敦洲 ;

金鹏 ;

王占国 .

中国专利 :CN117976739A ,2024-05-03

[5]

雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

康晓旭 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN114300567B ,2024-07-09

[6]

双面雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

康晓旭 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN114068754B ,2024-05-14

[7]

双面雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

康晓旭 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN114068754A ,2022-02-18

[8]

雪崩光电二极管及其制作方法 [P].

曾磊 ;

王肇中 .

中国专利 :CN110323284A ,2019-10-11

[9]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

刘东庆 .

中国专利 :CN107437570B ,2017-12-05

[10]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

竹村亮太 ;

石村荣太郎 .

中国专利 :CN103390680A ,2013-11-13

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