双面雪崩光电二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111649722.6

申请日：

2021-12-29

公开(公告)号：

CN114068754B

公开(公告)日：

2024-05-14

发明(设计)人：

康晓旭陈寿面

申请人：

上海集成电路研发中心有限公司上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司

申请人地址：

201210 上海市张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L31/107

IPC分类号：

H01L31/0352 H01L31/0216 H01L31/18

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

刘笑;黄健

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	授权	授权

共 50 条

[1]

双面雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

康晓旭 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN114068754A ,2022-02-18

[2]

雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

康晓旭 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN114300567A ,2022-04-08

[3]

雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

苏琳琳 ;

郁智豪 ;

杨成东 .

中国专利 :CN114242828A ,2022-03-25

[4]

雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

许敦洲 ;

金鹏 ;

王占国 .

中国专利 :CN117976739A ,2024-05-03

[5]

雪崩光电二极管及其制备方法 [P].

康晓旭 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN114300567B ,2024-07-09

[6]

雪崩光电二极管及制备方法 [P].

王亮 ;

张博健 ;

秦金 ;

何伟 .

中国专利 :CN110112249A ,2019-08-09

[7]

雪崩光电二极管及雪崩光电二极管阵列 [P].

笹畑圭史 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN102800715A ,2012-11-28

[8]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

刘东庆 .

中国专利 :CN107437570B ,2017-12-05

[9]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

竹村亮太 ;

石村荣太郎 .

中国专利 :CN103390680A ,2013-11-13

[10]

雪崩光电二极管及其制造方法 [P].

名田允洋 ;

松崎秀昭 .

中国专利 :CN111052405A ,2020-04-21

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