发光二极管晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710929066.2

申请日：

2017-10-09

公开(公告)号：

CN108023006A

公开(公告)日：

2018-05-11

发明(设计)人：

郭修邑

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市科学园区工业东三路3号

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3362 H01L2360

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/48 申请日:20171009
2020-11-20	授权	授权
2018-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管 [P].

松下保彦 .

中国专利 :CN100391016C ,2006-02-15

[2]

发光二极管 [P].

金在权 ;

许暋赞 ;

金京完 ;

金钟奎 ;

金贤儿 ;

李俊燮 .

中国专利 :CN111509101A ,2020-08-07

[3]

发光二极管 [P].

水谷友哉 ;

海野恒弘 .

中国专利 :CN102386293A ,2012-03-21

[4]

发光二极管 [P].

金在权 ;

许暋赞 ;

金京完 ;

金钟奎 ;

金贤儿 ;

李俊燮 .

韩国专利 :CN111509101B ,2025-02-14

[5]

发光二极管和发光二极管模块 [P].

蔡钟炫 ;

卢元英 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

张锺敏 ;

金贤儿 ;

裴善敏 ;

徐大雄 .

中国专利 :CN204167351U ,2015-02-18

[6]

微型发光二极管晶片 [P].

赖育弘 ;

罗玉云 ;

林子旸 .

中国专利 :CN108288664A ,2018-07-17

[7]

发光二极管晶片 [P].

丁绍滢 ;

兰彦廷 ;

黄靖恩 ;

黄逸儒 .

中国专利 :CN305303682S ,2019-08-13

[8]

发光二极管及发光二极管封装 [P].

朴德炫 ;

文盛煜 ;

朴相绿 ;

郑炳学 .

中国专利 :CN107851688B ,2018-03-27

[9]

发光二极管和包括发光二极管的发光二极管阵列 [P].

李建和 ;

崔炳均 .

中国专利 :CN107112394A ,2017-08-29

[10]

发光二极管、发光二极管模块和制造发光二极管的方法 [P].

蔡钟炫 ;

卢元英 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

张锺敏 ;

金贤儿 ;

裴善敏 ;

徐大雄 .

中国专利 :CN104465942A ,2015-03-25

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