发光二极管晶片

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201830295819.4

申请日：

2018-06-12

公开(公告)号：

CN305303682S

公开(公告)日：

2019-08-13

发明(设计)人：

丁绍滢兰彦廷黄靖恩黄逸儒

申请人：

申请人地址：

中国台湾台南市善化区大利三路5号

IPC主分类号：

2604

IPC分类号：

代理机构：

北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279

代理人：

席勇;周勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-13	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管晶片 [P].

郭修邑 .

中国专利 :CN108023006A ,2018-05-11

[2]

微型发光二极管晶片 [P].

赖育弘 ;

罗玉云 ;

林子旸 .

中国专利 :CN108288664A ,2018-07-17

[3]

发光二极管晶片模块 [P].

谢沛霖 .

中国专利 :CN203823516U ,2014-09-10

[4]

发光二极管 [P].

程原旭彦 ;

佐藤毅 .

中国专利 :CN304608404S ,2018-05-01

[5]

发光二极管 [P].

冈祐太 ;

笹野玄明 .

中国专利 :CN302363658S ,2013-03-20

[6]

发光二极管 [P].

王心盈 ;

钟健凯 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302135656S ,2012-10-17

[7]

发光二极管 [P].

武田重郎 ;

三轮朋弘 ;

下西正太 ;

田岛博幸 .

中国专利 :CN302498910S ,2013-07-10

[8]

发光二极管 [P].

陈友花 .

中国专利 :CN306330896S ,2021-02-12

[9]

发光二极管 [P].

邱忆婷 .

中国专利 :CN301396002S ,2010-11-24

[10]

发光二极管 [P].

林荣泉 .

中国专利 :CN301642900S ,2011-08-10

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