发光二极管

被引:0
专利类型
外观设计
申请号
CN202030200851.7
申请日
2020-05-07
公开(公告)号
CN306330896S
公开(公告)日
2021-02-12
发明(设计)人
陈友花
申请人
申请人地址
335000 江西省鹰潭市贵溪市经济开发区创新创业园内(B-06-02-3、7#)
IPC主分类号
2604
IPC分类号
代理机构
深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248
代理人
胡吉科
法律状态
授权
国省代码
引用
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共 50 条
[1]
发光二极管 [P]. 
程原旭彦 ;
佐藤毅 .
中国专利 :CN304608404S ,2018-05-01
[2]
发光二极管 [P]. 
冈祐太 ;
笹野玄明 .
中国专利 :CN302363658S ,2013-03-20
[3]
发光二极管 [P]. 
王心盈 ;
钟健凯 ;
柯淙凯 .
中国专利 :CN302135656S ,2012-10-17
[4]
发光二极管 [P]. 
武田重郎 ;
三轮朋弘 ;
下西正太 ;
田岛博幸 .
中国专利 :CN302498910S ,2013-07-10
[5]
发光二极管 [P]. 
邱忆婷 .
中国专利 :CN301396002S ,2010-11-24
[6]
发光二极管 [P]. 
林荣泉 .
中国专利 :CN301642900S ,2011-08-10
[7]
发光二极管 [P]. 
落合雄纪 ;
西川雄树 ;
后藤聪 ;
山田达郎 .
中国专利 :CN303938401S ,2016-11-23
[8]
发光二极管 [P]. 
江口弘晃 ;
石原利晃 .
中国专利 :CN303469481S ,2015-11-25
[9]
发光二极管 [P]. 
赖志铭 ;
萧明扬 ;
杨宏彬 .
中国专利 :CN301353856S ,2010-09-22
[10]
发光二极管 [P]. 
竹内辉雄 ;
刀祢馆达郎 ;
岩下和久 ;
清水聪 .
中国专利 :CN301365935S ,2010-10-13