发光二极管

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201030302879.8

申请日：

2010-02-01

公开(公告)号：

CN301353856S

公开(公告)日：

2010-09-22

发明(设计)人：

赖志铭萧明扬杨宏彬

申请人：

申请人地址：

201600 上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号

IPC主分类号：

2604

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101603304942 主分类号:26-04 专利号:ZL2010303028798 申请日:20100201 授权公告日:20100922 终止日期:20140201
2012-11-21	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101465555170 主分类号:26-04 专利号:ZL2010303028798 变更事项:专利权人变更前:富士迈半导体精密工业(上海)有限公司变更后:富士迈半导体精密工业(上海)有限公司变更事项:地址变更前:201600 上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号变更后:201600 上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号变更事项:专利权人变更前:沛鑫能源科技股份有限公司变更后:晶鼎能源科技股份有限公司
2010-09-22	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管 [P].

程原旭彦 ;

佐藤毅 .

中国专利 :CN304608404S ,2018-05-01

[2]

发光二极管 [P].

冈祐太 ;

笹野玄明 .

中国专利 :CN302363658S ,2013-03-20

[3]

发光二极管 [P].

王心盈 ;

钟健凯 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302135656S ,2012-10-17

[4]

发光二极管 [P].

武田重郎 ;

三轮朋弘 ;

下西正太 ;

田岛博幸 .

中国专利 :CN302498910S ,2013-07-10

[5]

发光二极管 [P].

陈友花 .

中国专利 :CN306330896S ,2021-02-12

[6]

发光二极管 [P].

邱忆婷 .

中国专利 :CN301396002S ,2010-11-24

[7]

发光二极管 [P].

林荣泉 .

中国专利 :CN301642900S ,2011-08-10

[8]

发光二极管 [P].

落合雄纪 ;

西川雄树 ;

后藤聪 ;

山田达郎 .

中国专利 :CN303938401S ,2016-11-23

[9]

发光二极管 [P].

江口弘晃 ;

石原利晃 .

中国专利 :CN303469481S ,2015-11-25

[10]

发光二极管 [P].

竹内辉雄 ;

刀祢馆达郎 ;

岩下和久 ;

清水聪 .

中国专利 :CN301365935S ,2010-10-13

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