热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410244905.3

申请日：

2014-06-04

公开(公告)号：

CN104212374A

公开(公告)日：

2014-12-17

发明(设计)人：

木村雄大三隅贞仁大西谦司菅生悠树宍户雄一郎

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C09J702

IPC分类号：

C09J1104 C09J16300 C09J16106 C09J13300 H01L2158

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C09J 7/02 申请公布日:20141217
2014-12-17	公开	公开
2016-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101665920744 IPC(主分类):C09J 7/02 专利申请号:2014102449053 申请日:20140604

共 50 条

[1]

热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法 [P].

木村雄大 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 ;

菅生悠树 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN104212369A ,2014-12-17

[2]

芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法 [P].

大西谦司 ;

三隅贞仁 ;

村田修平 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 .

中国专利 :CN104946151B ,2015-09-30

[3]

热固型芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

菅生悠树 ;

田中俊平 ;

井上刚一 .

中国专利 :CN102222633A ,2011-10-19

[4]

热固型芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104946153A ,2015-09-30

[5]

热固型芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置 [P].

林美希 ;

田中俊平 ;

大西谦司 ;

宍户雄一郎 ;

井上刚一 .

中国专利 :CN102010677A ,2011-04-13

[6]

切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 ;

柳雄一朗 .

中国专利 :CN107004589A ,2017-08-01

[7]

芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的半导体装置 [P].

宇圆田大介 ;

松村健 ;

井上刚一 ;

盛田美希 .

中国专利 :CN102468185A ,2012-05-23

[8]

芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

福井章洋 ;

大西谦司 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 ;

高本尚英 .

中国专利 :CN107434955B ,2017-12-05

[9]

切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法 [P].

宍户雄一郎 ;

高本尚英 ;

大西谦司 ;

木村雄大 .

中国专利 :CN107331645A ,2017-11-07

[10]

芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

盛田美希 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN102911616B ,2013-02-06

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