切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580067732.5

申请日：

2015-12-10

公开(公告)号：

CN107004589A

公开(公告)日：

2017-08-01

发明(设计)人：

宍户雄一郎三隅贞仁大西谦司柳雄一朗

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21301

IPC分类号：

C09J702 H01L2152

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-01	公开	公开
2017-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/301 申请日:20151210
2021-07-16	授权	授权

共 50 条

[1]

芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法 [P].

大西谦司 ;

三隅贞仁 ;

村田修平 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 .

中国专利 :CN104946151B ,2015-09-30

[2]

切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 [P].

大西谦司 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 ;

杉村敏正 ;

福井章洋 .

中国专利 :CN110527444A ,2019-12-03

[3]

切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

村田修平 ;

松村健 ;

柳雄一朗 .

中国专利 :CN102408845A ,2012-04-11

[4]

切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104733400A ,2015-06-24

[5]

芯片接合切割片材 [P].

古谷涼士 ;

铃村浩二 ;

岩永有辉启 ;

中村祐树 .

中国专利 :CN110767595A ,2020-02-07

[6]

芯片接合切割片材 [P].

古谷涼士 ;

铃村浩二 ;

岩永有辉启 ;

中村祐树 .

中国专利 :CN205004316U ,2016-01-27

[7]

芯片接合切割片材 [P].

古谷涼士 ;

铃村浩二 ;

岩永有辉启 ;

中村祐树 .

中国专利 :CN112289733A ,2021-01-29

[8]

芯片接合切割片材 [P].

古谷涼士 ;

铃村浩二 ;

岩永有辉启 ;

中村祐树 .

中国专利 :CN105140165A ,2015-12-09

[9]

芯片接合切割片材 [P].

古谷涼士 ;

铃村浩二 ;

岩永有辉启 ;

中村祐树 .

日本专利 :CN110767595B ,2024-05-24

[10]

切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

木村雄大 ;

三隅贞仁 ;

村田修平 ;

大西谦司 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN104946152A ,2015-09-30

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