切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510148818.2

申请日：

2015-03-31

公开(公告)号：

CN104946152A

公开(公告)日：

2015-09-30

发明(设计)人：

木村雄大三隅贞仁村田修平大西谦司宍户雄一郎

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C09J702

IPC分类号：

H01L21683 H01L2178

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-30	公开	公开
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101707773224 IPC(主分类):C09J 7/02 专利申请号:2015101488182 申请日:20150331

共 50 条

[1]

切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法 [P].

靍泽俊浩 ;

小坂尚史 ;

三木香 ;

木村雄大 ;

高本尚英 ;

大西谦司 ;

杉村敏正 ;

赤泽光治 .

中国专利 :CN109216211A ,2019-01-15

[2]

切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

村田修平 ;

松村健 ;

柳雄一朗 .

中国专利 :CN102408845A ,2012-04-11

[3]

芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

福井章洋 ;

大西谦司 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 ;

高本尚英 .

中国专利 :CN107434955B ,2017-12-05

[4]

切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法 [P].

福井章洋 ;

角野雅俊 ;

大西谦司 .

日本专利 :CN118222201A ,2024-06-21

[5]

切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

福井章洋 ;

杉村敏正 ;

角野雅俊 ;

大西谦司 ;

木村雄大 .

中国专利 :CN115368842A ,2022-11-22

[6]

切割带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法 [P].

小坂尚史 ;

靏泽俊浩 ;

三木香 ;

木村雄大 ;

大西谦司 ;

高本尚英 ;

杉村敏正 ;

赤泽光治 .

中国专利 :CN109207077A ,2019-01-15

[7]

切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

三隅贞仁 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 .

日本专利 :CN106189897B ,2025-04-04

[8]

切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

三隅贞仁 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 .

中国专利 :CN106189897A ,2016-12-07

[9]

切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 [P].

大西谦司 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 ;

杉村敏正 ;

福井章洋 .

中国专利 :CN110527444A ,2019-12-03

[10]

热固型芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104946153A ,2015-09-30

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