切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810726671.4

申请日：

2018-07-04

公开(公告)号：

CN109216211A

公开(公告)日：

2019-01-15

发明(设计)人：

靍泽俊浩小坂尚史三木香木村雄大高本尚英大西谦司杉村敏正赤泽光治

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2152

IPC分类号：

H01L2160 C09J724 C09J729

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-15	公开	公开
2020-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/52 申请日:20180704

共 50 条

[1]

切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

木村雄大 ;

三隅贞仁 ;

村田修平 ;

大西谦司 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN104946152A ,2015-09-30

[2]

切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法 [P].

角野雅俊 ;

福井章洋 ;

中浦宏 ;

土生刚志 .

日本专利 :CN119447003A ,2025-02-14

[3]

切割带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法 [P].

小坂尚史 ;

靏泽俊浩 ;

三木香 ;

木村雄大 ;

大西谦司 ;

高本尚英 ;

杉村敏正 ;

赤泽光治 .

中国专利 :CN109207077A ,2019-01-15

[4]

芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 [P].

宍户雄一郎 ;

高本尚英 ;

大西谦司 ;

木村雄大 ;

福井章洋 ;

大和道子 .

中国专利 :CN109309039A ,2019-02-05

[5]

切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法 [P].

福井章洋 ;

角野雅俊 ;

大西谦司 .

日本专利 :CN118222201A ,2024-06-21

[6]

切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

村田修平 ;

松村健 ;

柳雄一朗 .

中国专利 :CN102408845A ,2012-04-11

[7]

切割带和切割芯片接合薄膜 [P].

三木香 ;

小坂尚史 ;

靏泽俊浩 ;

木村雄大 ;

高本尚英 ;

大西谦司 ;

杉村敏正 ;

赤泽光治 .

中国专利 :CN109207078A ,2019-01-15

[8]

切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

三隅贞仁 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 .

中国专利 :CN106189897A ,2016-12-07

[9]

切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

三隅贞仁 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 .

日本专利 :CN106189897B ,2025-04-04

[10]

切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 [P].

大西谦司 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 ;

杉村敏正 ;

福井章洋 .

中国专利 :CN110527444A ,2019-12-03

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