切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411020068.6

申请日：

2024-07-29

公开(公告)号：

CN119447003A

公开(公告)日：

2025-02-14

发明(设计)人：

角野雅俊福井章洋中浦宏土生刚志

申请人：

日东电工株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L21/683

IPC分类号：

H01L21/78 C09J7/29

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;韩平

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	公开	公开

共 50 条

[1]

切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法 [P].

靍泽俊浩 ;

小坂尚史 ;

三木香 ;

木村雄大 ;

高本尚英 ;

大西谦司 ;

杉村敏正 ;

赤泽光治 .

中国专利 :CN109216211A ,2019-01-15

[2]

切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

村田修平 ;

松村健 ;

柳雄一朗 .

中国专利 :CN102408845A ,2012-04-11

[3]

切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法 [P].

福井章洋 ;

角野雅俊 ;

大西谦司 .

日本专利 :CN118222201A ,2024-06-21

[4]

切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

福井章洋 ;

杉村敏正 ;

角野雅俊 ;

大西谦司 ;

木村雄大 .

中国专利 :CN115368842A ,2022-11-22

[5]

切割带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法 [P].

小坂尚史 ;

靏泽俊浩 ;

三木香 ;

木村雄大 ;

大西谦司 ;

高本尚英 ;

杉村敏正 ;

赤泽光治 .

中国专利 :CN109207077A ,2019-01-15

[6]

粘合带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法 [P].

福井章洋 ;

杉村敏正 ;

角野雅俊 ;

大西谦司 ;

木村雄大 .

中国专利 :CN115368841A ,2022-11-22

[7]

切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

木村雄大 ;

三隅贞仁 ;

村田修平 ;

大西谦司 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN104946152A ,2015-09-30

[8]

切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

三隅贞仁 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 .

中国专利 :CN106189897A ,2016-12-07

[9]

切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

三隅贞仁 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 .

日本专利 :CN106189897B ,2025-04-04

[10]

切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 [P].

大西谦司 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 ;

杉村敏正 ;

福井章洋 .

中国专利 :CN110527444A ,2019-12-03

← 1 2 3 4 5 →