芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710392803.X

申请日：

2017-05-27

公开(公告)号：

CN107434955B

公开(公告)日：

2017-12-05

发明(设计)人：

福井章洋大西谦司宍户雄一郎木村雄大高本尚英

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C09J730

IPC分类号：

C08F22018 C08F22028 C08F830 C09J13300 C09J16106 C09J1104 H01L2178

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09J 7/02 申请日:20170527
2021-09-21	授权	授权
2017-12-05	公开	公开

共 50 条

[1]

芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的半导体装置 [P].

宇圆田大介 ;

松村健 ;

井上刚一 ;

盛田美希 .

中国专利 :CN102468185A ,2012-05-23

[2]

芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

盛田美希 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN102911616B ,2013-02-06

[3]

芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

盛田美希 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN105505244A ,2016-04-20

[4]

芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

林美希 ;

井上刚一 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN102190975A ,2011-09-21

[5]

芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 [P].

宍户雄一郎 ;

高本尚英 ;

大西谦司 ;

木村雄大 ;

福井章洋 ;

大和道子 .

中国专利 :CN109309039A ,2019-02-05

[6]

切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

木村雄大 ;

三隅贞仁 ;

村田修平 ;

大西谦司 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN104946152A ,2015-09-30

[7]

热固型芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104946153A ,2015-09-30

[8]

切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

村田修平 ;

松村健 ;

柳雄一朗 .

中国专利 :CN102408845A ,2012-04-11

[9]

切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法 [P].

宍户雄一郎 ;

高本尚英 ;

大西谦司 ;

木村雄大 .

中国专利 :CN107331645A ,2017-11-07

[10]

热固型芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

菅生悠树 ;

田中俊平 ;

井上刚一 .

中国专利 :CN102222633A ,2011-10-19

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