切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410818508.2

申请日：

2014-12-24

公开(公告)号：

CN104733400A

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

宍户雄一郎三隅贞仁大西谦司

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

H01L2156

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-24	公开	公开
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695874122 IPC(主分类):H01L 23/29 专利申请号:2014108185082 申请日:20141224
2019-05-07	授权	授权

共 50 条

[1]

粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104726032B ,2015-06-24

[2]

粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104733401A ,2015-06-24

[3]

切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

三隅贞仁 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 .

中国专利 :CN106189897A ,2016-12-07

[4]

切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

三隅贞仁 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 .

日本专利 :CN106189897B ,2025-04-04

[5]

胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104119812A ,2014-10-29

[6]

切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 [P].

大西谦司 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 ;

杉村敏正 ;

福井章洋 .

中国专利 :CN110527444A ,2019-12-03

[7]

粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

高本尚英 ;

大西谦司 ;

木村雄大 ;

福井章洋 .

中国专利 :CN108178990B ,2018-06-19

[8]

切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

村田修平 ;

松村健 ;

柳雄一朗 .

中国专利 :CN102408845A ,2012-04-11

[9]

胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN103923573A ,2014-07-16

[10]

切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 ;

柳雄一朗 .

中国专利 :CN107004589A ,2017-08-01

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