胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410171855.0

申请日：

2014-04-25

公开(公告)号：

CN104119812A

公开(公告)日：

2014-10-29

发明(设计)人：

宍户雄一郎三隅贞仁大西谦司

申请人：

申请人地址：

日本大阪

IPC主分类号：

C09J700

IPC分类号：

C09J702 H01L2178

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C09J 7/00 申请公布日:20141029
2016-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101658878610 IPC(主分类):C09J 7/00 专利申请号:2014101718550 申请日:20140425
2014-10-29	公开	公开

共 50 条

[1]

胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN103923573A ,2014-07-16

[2]

粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

高本尚英 ;

大西谦司 ;

木村雄大 ;

福井章洋 .

中国专利 :CN108178990B ,2018-06-19

[3]

切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104733400A ,2015-06-24

[4]

粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104733401A ,2015-06-24

[5]

粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104726032B ,2015-06-24

[6]

胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN103515276B ,2014-01-15

[7]

芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 [P].

宍户雄一郎 ;

高本尚英 ;

大西谦司 ;

木村雄大 ;

福井章洋 ;

大和道子 .

中国专利 :CN109309039A ,2019-02-05

[8]

芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

林美希 ;

井上刚一 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN102190975A ,2011-09-21

[9]

粘接薄膜、切割芯片接合薄膜、以及光半导体装置 [P].

入江瞳 ;

中浦宏 .

日本专利 :CN118146734A ,2024-06-07

[10]

切割/芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 [P].

田中俊平 ;

松村健 .

中国专利 :CN103140917A ,2013-06-05

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