胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410012288.4

申请日：

2014-01-10

公开(公告)号：

CN103923573A

公开(公告)日：

2014-07-16

发明(设计)人：

宍户雄一郎三隅贞仁大西谦司

申请人：

申请人地址：

日本大阪

IPC主分类号：

C09J700

IPC分类号：

C09J702 H01L2178

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101645493381 IPC(主分类):C09J 7/00 专利申请号:2014100122884 申请日:20140110
2019-07-12	授权	授权
2014-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104119812A ,2014-10-29

[2]

芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

林美希 ;

井上刚一 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN102190975A ,2011-09-21

[3]

切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104733400A ,2015-06-24

[4]

粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104733401A ,2015-06-24

[5]

粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

高本尚英 ;

大西谦司 ;

木村雄大 ;

福井章洋 .

中国专利 :CN108178990B ,2018-06-19

[6]

粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104726032B ,2015-06-24

[7]

芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

盛田美希 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN102911616B ,2013-02-06

[8]

芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

盛田美希 ;

宍户雄一郎 .

中国专利 :CN105505244A ,2016-04-20

[9]

切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

三隅贞仁 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 .

中国专利 :CN106189897A ,2016-12-07

[10]

切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

大西谦司 ;

三隅贞仁 ;

宍户雄一郎 ;

木村雄大 .

日本专利 :CN106189897B ,2025-04-04

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