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一种绝缘栅双极型晶体管IGBT端子
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710922796.X
申请日
:
2017-09-30
公开(公告)号
:
CN109599376B
公开(公告)日
:
2019-04-09
发明(设计)人
:
赵研峰
姚吉隆
石磊
刘泽伟
张晟
申请人
:
申请人地址
:
德国慕尼黑
IPC主分类号
:
H01L2348
IPC分类号
:
代理机构
:
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
:
赵冬梅
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-05-03
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20170930
2019-04-09
公开
公开
2023-01-31
授权
授权
共 50 条
[1]
水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块
[P].
邱秀华
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邱秀华
;
邱嘉龙
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邱嘉龙
;
李志军
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李志军
;
朱永斌
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朱永斌
;
何祖辉
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何祖辉
.
中国专利
:CN212542414U
,2021-02-12
[2]
水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块
[P].
言锦春
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言锦春
.
中国专利
:CN207765432U
,2018-08-24
[3]
一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT
[P].
乐双申
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机构:
上海韦尔半导体股份有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司
乐双申
;
陈兆萍
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机构:
上海韦尔半导体股份有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司
陈兆萍
.
中国专利
:CN119325245A
,2025-01-17
[4]
一种水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块
[P].
言锦春
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言锦春
.
中国专利
:CN107275291A
,2017-10-20
[5]
绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法
[P].
潘光燃
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潘光燃
;
石金成
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石金成
;
王焜
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王焜
;
文燕
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文燕
;
高振杰
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高振杰
.
中国专利
:CN104347399B
,2015-02-11
[6]
一种绝缘栅双极型晶体管
[P].
田迪强
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田迪强
.
中国专利
:CN206301801U
,2017-07-04
[7]
绝缘栅双极型晶体管
[P].
张龙
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张龙
;
马杰
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马杰
;
顾炎
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顾炎
;
张森
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张森
;
祝靖
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祝靖
;
龚金丽
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龚金丽
;
孙伟锋
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孙伟锋
;
时龙兴
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时龙兴
.
中国专利
:CN112768517B
,2021-05-07
[8]
绝缘栅双极型晶体管
[P].
汉斯-约阿希姆·舒尔茨
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汉斯-约阿希姆·舒尔茨
;
弗兰克·普菲尔什
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弗兰克·普菲尔什
;
霍尔格·豪斯肯
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霍尔格·豪斯肯
.
中国专利
:CN203288597U
,2013-11-13
[9]
绝缘栅双极型晶体管
[P].
李伟聪
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李伟聪
;
文雨
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文雨
;
姜春亮
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姜春亮
.
中国专利
:CN115513281A
,2022-12-23
[10]
绝缘栅双极型晶体管
[P].
阳平
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阳平
.
中国专利
:CN210607264U
,2020-05-22
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