一种绝缘栅双极型晶体管IGBT端子

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710922796.X
申请日
2017-09-30
公开(公告)号
CN109599376B
公开(公告)日
2019-04-09
发明(设计)人
赵研峰 姚吉隆 石磊 刘泽伟 张晟
申请人
申请人地址
德国慕尼黑
IPC主分类号
H01L2348
IPC分类号
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
赵冬梅
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块 [P]. 
邱秀华 ;
邱嘉龙 ;
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水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块 [P]. 
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[3]
一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT [P]. 
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[4]
一种水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块 [P]. 
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[5]
绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法 [P]. 
潘光燃 ;
石金成 ;
王焜 ;
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绝缘栅双极型晶体管 [P]. 
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绝缘栅双极型晶体管 [P]. 
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弗兰克·普菲尔什 ;
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绝缘栅双极型晶体管 [P]. 
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绝缘栅双极型晶体管 [P]. 
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