一种碳包覆硅负极材料的合成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010314747.X
申请日
2020-04-20
公开(公告)号
CN111525108B
公开(公告)日
2020-08-11
发明(设计)人
汤昊 谭龙 金鑫 刘莉 纪善宝 孙润光
申请人
申请人地址
330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
IPC主分类号
H01M436
IPC分类号
H01M438 H01M4583 H01M462 H01M100525
代理机构
北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246
代理人
许莹莹
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种新型的有机小分子包覆的硅负极材料的合成方法 [P]. 
汤昊 ;
谭龙 ;
应进 ;
孙润光 .
中国专利 :CN111525107B ,2020-08-11
[2]
一种包覆型碳硅负极材料的制备方法 [P]. 
贺川 ;
杨敏 ;
刘金旭 ;
冯新娅 ;
蔡奇 .
中国专利 :CN111960421A ,2020-11-20
[3]
一种碳包覆的多孔硅负极材料的制备方法 [P]. 
张飞豹 ;
张大伟 ;
吕素芳 ;
蒋剑雄 .
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[4]
一种锂离子电池的碳包覆硅负极材料的制备方法 [P]. 
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随东 ;
谢玉青 ;
徐艳红 .
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[5]
一种碳、钛酸锂双层包覆的硅负极材料的制备方法 [P]. 
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黄昭 ;
王丹 ;
吴晓燕 ;
严鹏 ;
何丹农 .
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[6]
一种硅碳负极材料及包覆制备方法 [P]. 
于冰 ;
杨娟玉 ;
胡易琛 ;
方升 ;
张伯涛 ;
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[7]
一种金属氮化物和多孔碳包覆的硅负极材料、制备方法及应用 [P]. 
郝莉 ;
苏敏 .
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[8]
一种碳硅包覆负极材料的制备工艺 [P]. 
李建平 ;
马仲秀 .
中国专利 :CN120039879A ,2025-05-27
[9]
一种表面双层包覆硅负极材料结构 [P]. 
岳之浩 ;
周浪 ;
尹传强 ;
黄海宾 .
中国专利 :CN209607836U ,2019-11-08
[10]
一种表面双层包覆硅负极材料结构 [P]. 
岳之浩 ;
周浪 ;
尹传强 ;
黄海宾 .
中国专利 :CN109904416A ,2019-06-18