一种新型的有机小分子包覆的硅负极材料的合成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010314470.0

申请日：

2020-04-20

公开(公告)号：

CN111525107B

公开(公告)日：

2020-08-11

发明(设计)人：

汤昊谭龙应进孙润光

申请人：

申请人地址：

330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

IPC主分类号：

H01M436

IPC分类号：

H01M438 H01M460 H01M100525

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246

代理人：

许莹莹

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	授权	授权
2020-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20200420
2020-08-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳包覆硅负极材料的合成方法 [P].

汤昊 ;

谭龙 ;

金鑫 ;

刘莉 ;

纪善宝 ;

孙润光 .

中国专利 :CN111525108B ,2020-08-11

[2]

一种硅负极材料的表面改性方法 [P].

谭龙 ;

曹皓 ;

张昊 ;

汤昊 ;

赖俊宝 ;

孙润光 .

中国专利 :CN114927678A ,2022-08-19

[3]

一种表面双层包覆硅负极材料结构 [P].

岳之浩 ;

周浪 ;

尹传强 ;

黄海宾 .

中国专利 :CN209607836U ,2019-11-08

[4]

一种表面双层包覆硅负极材料结构 [P].

岳之浩 ;

周浪 ;

尹传强 ;

黄海宾 .

中国专利 :CN109904416A ,2019-06-18

[5]

硅负极材料表面包覆的评估方法 [P].

张玉鹏 ;

傅强 .

中国专利 :CN113358434A ,2021-09-07

[6]

硅负极材料表面包覆的评估方法 [P].

张玉鹏 ;

傅强 .

中国专利 :CN113358434B ,2024-03-01

[7]

一种碳包覆的多孔硅负极材料的制备方法 [P].

张飞豹 ;

张大伟 ;

吕素芳 ;

蒋剑雄 .

中国专利 :CN111403694A ,2020-07-10

[8]

一种包覆型碳硅负极材料的制备方法 [P].

贺川 ;

杨敏 ;

刘金旭 ;

冯新娅 ;

蔡奇 .

中国专利 :CN111960421A ,2020-11-20

[9]

一种锂离子电池的碳包覆硅负极材料的制备方法 [P].

陈永胜 ;

随东 ;

谢玉青 ;

徐艳红 .

中国专利 :CN105958036A ,2016-09-21

[10]

一种磷元素掺杂的Si/SiOx/C负极材料的合成方法 [P].

汤昊 ;

谭龙 ;

陈齐健 ;

孙润光 .

中国专利 :CN112599733B ,2021-04-02

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