自蔓燃合成法制备高β相氮化硅棒状晶须的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710114558.2

申请日：

2007-12-28

公开(公告)号：

CN101280460A

公开(公告)日：

2008-10-08

发明(设计)人：

燕东明李金富李康王军段关文李国斌常永威赵斌刘国玺王拥军

申请人：

申请人地址：

264003山东省烟台市莱山区环山路付2号

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B2962 C30B110

代理机构：

烟台信合专利代理有限公司

代理人：

迟元香

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-10-08	公开	公开
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183762306 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2007101145582 公开日:20081008

共 50 条

[1]

自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法 [P].

王军 ;

燕东明 ;

李金富 ;

李康 ;

李国斌 ;

常永威 ;

赵斌 ;

刘国玺 ;

段关文 ;

王拥军 .

中国专利 :CN101214934A ,2008-07-09

[2]

自蔓延高温合成制备β－氮化硅晶须的方法 [P].

陈殿营 ;

张宝林 ;

庄汉锐 ;

李文兰 .

中国专利 :CN1334362A ,2002-02-06

[3]

自蔓燃制备低氧含量高α-相氮化硅粉体的方法 [P].

李金富 ;

燕东明 ;

李国斌 ;

刘国玺 ;

李康 ;

常永威 ;

赵斌 ;

段关文 ;

王拥军 ;

乔光利 .

中国专利 :CN101445223A ,2009-06-03

[4]

用燃烧合成高α相超细氮化硅粉体及氮化硅晶须的方法 [P].

葛昌纯 ;

曹永革 .

中国专利 :CN1433959A ,2003-08-06

[5]

自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法 [P].

李金富 ;

燕东明 ;

李康 ;

陈新力 ;

李国斌 ;

常永威 ;

高晓菊 ;

赵斌 ;

刘国玺 ;

徐志雄 ;

段关文 ;

王拥军 .

中国专利 :CN101774809A ,2010-07-14

[6]

燃烧合成法生产高纯β相氮化硅的制备方法 [P].

刘在翔 ;

邸庆法 .

中国专利 :CN104876196A ,2015-09-02

[7]

氮化硅晶须的制备方法 [P].

韩召 ;

刘在翔 .

中国专利 :CN107557866A ,2018-01-09

[8]

一种低压燃烧合成高α相氮化硅粉体的方法 [P].

陈克新 ;

周和平 ;

葛振斌 .

中国专利 :CN1362358A ,2002-08-07

[9]

自蔓燃合成法制备低氧含量氮化铝粉体的方法 [P].

燕东明 ;

李金富 ;

李康 ;

李国斌 ;

刘国玺 ;

常永威 ;

赵斌 ;

段关文 ;

王拥军 ;

乔光利 .

中国专利 :CN101445224A ,2009-06-03

[10]

以氮化硅镁作为生长助剂燃烧合成制备β－氮化硅棒晶 [P].

彭桂花 ;

江国健 ;

李文兰 ;

张宝林 ;

庄汉锐 .

中国专利 :CN1251996C ,2005-01-26

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