自蔓燃制备低氧含量高α-相氮化硅粉体的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810249513.0
申请日
2008-12-19
公开(公告)号
CN101445223A
公开(公告)日
2009-06-03
发明(设计)人
李金富 燕东明 李国斌 刘国玺 李康 常永威 赵斌 段关文 王拥军 乔光利
申请人
申请人地址
264003山东省烟台市莱山区环山路付2号
IPC主分类号
C01B21068
IPC分类号
代理机构
烟台信合专利代理有限公司
代理人
迟元香
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法 [P]. 
王军 ;
燕东明 ;
李金富 ;
李康 ;
李国斌 ;
常永威 ;
赵斌 ;
刘国玺 ;
段关文 ;
王拥军 .
中国专利 :CN101214934A ,2008-07-09
[2]
一种低氧含量高α相氮化硅粉的制备方法 [P]. 
贺刚 ;
许城志 ;
杨蕾 ;
胡章贵 .
中国专利 :CN118579739A ,2024-09-03
[3]
自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法 [P]. 
李金富 ;
燕东明 ;
李康 ;
陈新力 ;
李国斌 ;
常永威 ;
高晓菊 ;
赵斌 ;
刘国玺 ;
徐志雄 ;
段关文 ;
王拥军 .
中国专利 :CN101774809A ,2010-07-14
[4]
一种低氧含量纯β相氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
贺刚 ;
李崇郡 ;
杨蕾 ;
胡章贵 .
中国专利 :CN118184365A ,2024-06-14
[5]
高α相氮化硅粉体的生产方法 [P]. 
夏静豪 ;
夏凡 .
中国专利 :CN112408992B ,2021-02-26
[6]
硅锯屑直接氮化合成低氧高α相氮化硅粉体的方法 [P]. 
兰宇 ;
付玉超 ;
魏加丰 ;
张瑞林 .
中国专利 :CN120364657A ,2025-07-25
[7]
氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P]. 
史颖颖 ;
王正 ;
王良 ;
杜盼盼 ;
薛国梁 .
中国专利 :CN119241256A ,2025-01-03
[8]
氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P]. 
史颖颖 ;
王正 ;
王良 ;
杜盼盼 ;
薛国梁 .
中国专利 :CN119241256B ,2025-03-25
[9]
自蔓燃合成法制备高β相氮化硅棒状晶须的方法 [P]. 
燕东明 ;
李金富 ;
李康 ;
王军 ;
段关文 ;
李国斌 ;
常永威 ;
赵斌 ;
刘国玺 ;
王拥军 .
中国专利 :CN101280460A ,2008-10-08
[10]
α相氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
邓巧玉 ;
高礼文 ;
吕洪领 ;
孙林帅 ;
朱鑫宁 ;
孙兆江 .
中国专利 :CN117800742A ,2024-04-02