自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710114560.X

申请日：

2007-12-28

公开(公告)号：

CN101214934A

公开(公告)日：

2008-07-09

发明(设计)人：

王军燕东明李金富李康李国斌常永威赵斌刘国玺段关文王拥军

申请人：

申请人地址：

264003山东省烟台市莱山区环山路付2号

IPC主分类号：

C01B21068

IPC分类号：

C04B35586 C04B3566

代理机构：

烟台信合专利代理有限公司

代理人：

迟元香

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003338553 IPC(主分类):C01B 21/068 专利申请号:200710114560X 公开日:20080709
2008-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-09	公开	公开

共 50 条

[1]

自蔓燃制备低氧含量高α-相氮化硅粉体的方法 [P].

李金富 ;

燕东明 ;

李国斌 ;

刘国玺 ;

李康 ;

常永威 ;

赵斌 ;

段关文 ;

王拥军 ;

乔光利 .

中国专利 :CN101445223A ,2009-06-03

[2]

自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法 [P].

李金富 ;

燕东明 ;

李康 ;

陈新力 ;

李国斌 ;

常永威 ;

高晓菊 ;

赵斌 ;

刘国玺 ;

徐志雄 ;

段关文 ;

王拥军 .

中国专利 :CN101774809A ,2010-07-14

[3]

自蔓燃合成法制备高β相氮化硅棒状晶须的方法 [P].

燕东明 ;

李金富 ;

李康 ;

王军 ;

段关文 ;

李国斌 ;

常永威 ;

赵斌 ;

刘国玺 ;

王拥军 .

中国专利 :CN101280460A ,2008-10-08

[4]

高α相氮化硅粉体的生产方法 [P].

夏静豪 ;

夏凡 .

中国专利 :CN112408992B ,2021-02-26

[5]

氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P].

史颖颖 ;

王正 ;

王良 ;

杜盼盼 ;

薛国梁 .

中国专利 :CN119241256A ,2025-01-03

[6]

氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P].

史颖颖 ;

王正 ;

王良 ;

杜盼盼 ;

薛国梁 .

中国专利 :CN119241256B ,2025-03-25

[7]

α相氮化硅粉体的制备方法 [P].

邓巧玉 ;

高礼文 ;

吕洪领 ;

孙林帅 ;

朱鑫宁 ;

孙兆江 .

中国专利 :CN117800742A ,2024-04-02

[8]

α相氮化硅粉体的制备方法 [P].

邓巧玉 ;

高礼文 ;

吕洪领 ;

孙林帅 ;

朱鑫宁 ;

孙兆江 .

中国专利 :CN117800742B ,2024-05-31

[9]

一种高α相氮化硅粉的制备方法 [P].

蔡庆文 ;

陈正明 ;

朱成梁 .

中国专利 :CN119462167A ,2025-02-18

[10]

一种高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线的制备方法 [P].

尹传强 ;

周浪 ;

李晓敏 ;

魏秀琴 ;

兰宇 .

中国专利 :CN110436934A ,2019-11-12

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