形成掩模图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710187587.1

申请日：

2007-12-03

公开(公告)号：

CN101452206A

公开(公告)日：

2009-06-10

发明(设计)人：

郑宇荣沈贵潢

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

G03F114

IPC分类号：

G03F100

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101595905427 IPC(主分类):G03F 1/46 专利号:ZL2007101875871 申请日:20071203 授权公告日:20120502 终止日期:20131203
2009-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-05-02	授权	授权
2009-06-10	公开	公开

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成硬掩模图案的方法 [P].

金相民 ;

郑宇荣 ;

金最东 .

中国专利 :CN101303971A ,2008-11-12

[2]

使用极紫外光形成抗蚀图案的方法及使用该抗蚀图案作为掩模形成图案的方法 [P].

金秀暻 ;

黄灿 ;

郑钟贤 ;

李茂松 .

韩国专利 :CN117518728A ,2024-02-06

[3]

形成图案的方法 [P].

林毓超 ;

许家豪 ;

吴国钰 ;

陈嘉仁 ;

陈昭成 .

中国专利 :CN103811312B ,2014-05-21

[4]

掩模图案生成方法 [P].

小川和久 ;

中村聪美 ;

中山幸一 .

中国专利 :CN101059649A ,2007-10-24

[5]

掩模辅助图案设置方法及掩模版 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110597011A ,2019-12-20

[6]

掩模辅助图案设置方法及掩模版 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN110597011B ,2024-03-26

[7]

形成图案化材料层的方法 [P].

吴泉毅 ;

陈锦隆 ;

官永佳 .

中国专利 :CN1866470A ,2006-11-22

[8]

掩模版的形成方法及掩模版 [P].

姚军 ;

曹清晨 ;

刘峻 ;

胡小龙 ;

高峰 .

中国专利 :CN109752930A ,2019-05-14

[9]

灰阶掩模坯料,灰阶掩模的制造方法和灰阶掩模及图案转写方法 [P].

佐野道明 ;

井村和久 ;

三井胜 .

中国专利 :CN101458449B ,2009-06-17

[10]

形成细微图案的方法 [P].

菅田祥树 ;

金子文武 ;

立川俊和 .

中国专利 :CN1469432A ,2004-01-21

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