在半导体器件中形成硬掩模图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810000711.3

申请日：

2008-01-14

公开(公告)号：

CN101303971A

公开(公告)日：

2008-11-12

发明(设计)人：

金相民郑宇荣金最东

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-12	公开	公开
2009-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-07-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003368119 IPC(主分类):H01L 21/033 专利申请号:2008100007113 公开日:20081112

共 50 条

[1]

在半导体器件中形成硬掩模图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101447398B ,2009-06-03

[2]

形成半导体器件的硬掩模图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101154031B ,2008-04-02

[3]

半导体器件硬掩模图案及其形成方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101447458A ,2009-06-03

[4]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

金钟勋 .

中国专利 :CN100416774C ,2007-03-21

[5]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

李相彧 .

中国专利 :CN101197257A ,2008-06-11

[6]

在半导体器件中形成细微图案的方法 [P].

金原圭 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101335182A ,2008-12-31

[7]

在半导体器件中形成图案的方法 [P].

潘槿道 ;

卜喆圭 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101211775B ,2008-07-02

[8]

在半导体器件中形成图案的方法 [P].

潘槿道 ;

卜喆圭 .

中国专利 :CN100595888C ,2008-07-02

[9]

掩模图案、半导体器件和形成半导体器件精细图案的方法 [P].

李洪求 .

韩国专利 :CN119786346A ,2025-04-08

[10]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

沈贵潢 .

中国专利 :CN101471234A ,2009-07-01

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