形成半导体器件图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810132035.5

申请日：

2008-07-18

公开(公告)号：

CN101471234A

公开(公告)日：

2009-07-01

发明(设计)人：

郑宇荣沈贵潢

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2102 H01L21027

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-01	公开	公开
2011-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101076732811 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2008101320355 公开日:20090701

共 50 条

[1]

半导体器件微图案的形成方法 [P].

安相俊 .

中国专利 :CN101419906A ,2009-04-29

[2]

用于形成半导体器件图案的方法及半导体器件的制造方法 [P].

李祥华 ;

李大烨 ;

贺晓彬 ;

李亭亭 ;

刘金彪 ;

杨涛 ;

杨帆 .

中国专利 :CN115346860A ,2022-11-15

[3]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101383270B ,2009-03-11

[4]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471233B ,2009-07-01

[5]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101303972A ,2008-11-12

[6]

半导体器件图案的形成方法 [P].

沈贵潢 ;

郑宇煐 .

中国专利 :CN101154583A ,2008-04-02

[7]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471232A ,2009-07-01

[8]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 ;

文承灿 ;

卜喆圭 ;

闵明子 ;

潘槿道 ;

林喜烈 .

中国专利 :CN101145513B ,2008-03-19

[9]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101145515B ,2008-03-19

[10]

形成用于半导体器件的图案的方法 [P].

李佳颖 ;

丁致远 ;

谢志宏 ;

蔡明兴 ;

章勋明 .

中国专利 :CN103165414B ,2013-06-19

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