形成半导体器件微图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810130740.1

申请日：

2008-07-14

公开(公告)号：

CN101383270B

公开(公告)日：

2009-03-11

发明(设计)人：

郑宇荣

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2102 H01L21033 H01L21311 H01L213213 H01L21822 H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586607830 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL2008101307401 申请日:20080714 授权公告日:20100609 终止日期:20130714
2010-06-09	授权	授权
2009-03-11	公开	公开
2009-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471233B ,2009-07-01

[2]

半导体器件微图案的形成方法 [P].

安相俊 .

中国专利 :CN101419906A ,2009-04-29

[3]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101303972A ,2008-11-12

[4]

形成半导体器件内微图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

赵诚允 ;

金最东 ;

宋弼根 .

中国专利 :CN100505152C ,2007-08-08

[5]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101271826A ,2008-09-24

[6]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

李相彧 .

中国专利 :CN101197257A ,2008-06-11

[7]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

沈贵潢 .

中国专利 :CN101471234A ,2009-07-01

[8]

一种形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471231B ,2009-07-01

[9]

半导体器件图案的形成方法 [P].

沈贵潢 ;

郑宇煐 .

中国专利 :CN101154583A ,2008-04-02

[10]

形成半导体器件的微图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

辛容撤 .

中国专利 :CN101335184B ,2008-12-31

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