形成半导体器件的微图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810089869.2

申请日：

2008-04-03

公开(公告)号：

CN101335184B

公开(公告)日：

2008-12-31

发明(设计)人：

郑宇荣辛容撤

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2102 H01L21027 H01L21033 H01L21311 H01L213213 H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-05-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582507957 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL2008100898692 申请日:20080403 授权公告日:20100811 终止日期:20130403
2010-08-11	授权	授权
2008-12-31	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件微图案的形成方法 [P].

安相俊 .

中国专利 :CN101419906A ,2009-04-29

[2]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101383270B ,2009-03-11

[3]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471233B ,2009-07-01

[4]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101303972A ,2008-11-12

[5]

形成半导体器件的微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101290867B ,2008-10-22

[6]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

沈贵潢 .

中国专利 :CN101471234A ,2009-07-01

[7]

形成半导体器件中微图案的方法 [P].

金原圭 ;

李基领 .

中国专利 :CN101388325A ,2009-03-18

[8]

形成半导体器件内微图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

赵诚允 ;

金最东 ;

宋弼根 .

中国专利 :CN100505152C ,2007-08-08

[9]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471232A ,2009-07-01

[10]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

金钟勋 .

中国专利 :CN100416774C ,2007-03-21

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