半导体器件微图案的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810085517.X

申请日：

2008-03-10

公开(公告)号：

CN101419906A

公开(公告)日：

2009-04-29

发明(设计)人：

安相俊

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2102 H01L21027 H01L21311 H01L213213 G03F700

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-04-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101607926615 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL200810085517X 申请日:20080310 授权公告日:20100804 终止日期:20140310
2009-04-29	公开	公开
2010-08-04	授权	授权

共 50 条

[1]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101383270B ,2009-03-11

[2]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471233B ,2009-07-01

[3]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

沈贵潢 .

中国专利 :CN101471234A ,2009-07-01

[4]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101303972A ,2008-11-12

[5]

半导体器件图案的形成方法 [P].

沈贵潢 ;

郑宇煐 .

中国专利 :CN101154583A ,2008-04-02

[6]

形成半导体器件内微图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

赵诚允 ;

金最东 ;

宋弼根 .

中国专利 :CN100505152C ,2007-08-08

[7]

半导体器件的图案形成方法 [P].

黄永善 ;

郑载昌 ;

李晟求 ;

卜喆圭 ;

申起秀 .

中国专利 :CN1233021C ,2004-01-28

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN104517843A ,2015-04-15

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

王冬江 ;

张翼英 ;

张海洋 .

中国专利 :CN104124150A ,2014-10-29

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

邱何 ;

张峻豪 .

中国专利 :CN101577212A ,2009-11-11

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