半导体器件图案的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710003909.2

申请日：

2007-01-18

公开(公告)号：

CN101154583A

公开(公告)日：

2008-04-02

发明(设计)人：

沈贵潢郑宇煐

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	授权	授权
2016-03-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101650104716 IPC(主分类):H01L 21/308 专利号:ZL2007100039092 申请日:20070118 授权公告日:20121219 终止日期:20150118
2008-04-02	公开	公开
2008-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件微图案的形成方法 [P].

安相俊 .

中国专利 :CN101419906A ,2009-04-29

[2]

半导体器件的阱光致抗蚀剂图案及其形成方法 [P].

金成茂 .

中国专利 :CN1904739A ,2007-01-31

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

谢素兰 .

中国专利 :CN111081539A ,2020-04-28

[4]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

沈贵潢 .

中国专利 :CN101471234A ,2009-07-01

[5]

半导体结构及其形成方法和半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN113539944A ,2021-10-22

[6]

形成半导体器件的微小图案的方法 [P].

金钟勋 .

中国专利 :CN1892993A ,2007-01-10

[7]

半导体膜的形成方法、半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

薮田久人 ;

加地信幸 ;

林享 .

中国专利 :CN102341912B ,2015-12-02

[8]

形成半导体器件内微图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

赵诚允 ;

金最东 ;

宋弼根 .

中国专利 :CN100505152C ,2007-08-08

[9]

半导体器件的栅极形成方法 [P].

毛刚 ;

王家佳 .

中国专利 :CN101355029B ,2009-01-28

[10]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

P·C·布兰特 ;

H-J·舒尔策 ;

A·R·施特格纳 .

中国专利 :CN105895699B ,2016-08-24

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