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半导体器件的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911252051.2
申请日：
2019-12-09
公开(公告)号：
CN111081539A
公开(公告)日：
2020-04-28
发明(设计)人：
谢素兰
申请人：
申请人地址：
201315 上海市浦东新区良腾路6号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L21324
H01L2131
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
曹廷廷
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-04-28 | 公开 | 公开 |
| 2020-05-22 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20191209 |