半导体器件的阱光致抗蚀剂图案及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610099506.8

申请日：

2006-07-26

公开(公告)号：

CN1904739A

公开(公告)日：

2007-01-31

发明(设计)人：

金成茂

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G03F100 H01L2100

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

顾晋伟;刘继富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101063320894 IPC(主分类):G03F 7/20 专利申请号:2006100995068 公开日:20070131
2007-01-31	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件图案的形成方法 [P].

沈贵潢 ;

郑宇煐 .

中国专利 :CN101154583A ,2008-04-02

[2]

光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法 [P].

訾安仁 ;

林进祥 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN113176708A ,2021-07-27

[3]

光致抗蚀剂图案形成方法 [P].

角田力太 ;

柳楠熙 ;

染谷康夫 .

日本专利 :CN112946999B ,2025-12-23

[4]

光致抗蚀剂图案形成方法 [P].

赵庸桓 ;

全吉敏 ;

朴汉雨 .

中国专利 :CN105319837A ,2016-02-10

[5]

光致抗蚀剂图案形成方法 [P].

角田力太 ;

柳楠熙 ;

染谷康夫 .

中国专利 :CN112946999A ,2021-06-11

[6]

光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN118795730A ,2024-10-18

[7]

光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN118795730B ,2025-07-01

[8]

制造半导体装置的方法和形成光致抗蚀剂图案的方法 [P].

李知垠 ;

金鎭平 ;

宋智恩 ;

金壮勳 ;

郑宇陈 .

韩国专利 :CN117995659A ,2024-05-07

[9]

形成光致抗蚀剂图案的方法 [P].

吴得鸿 ;

张圣岳 ;

吴承翰 .

中国专利 :CN1924701A ,2007-03-07

[10]

形成光致抗蚀剂图案的方法 [P].

苏煜中 ;

葛宗翰 ;

张庆裕 .

中国专利 :CN113126425A ,2021-07-16

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