形成半导体器件图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810125224.X

申请日：

2008-06-16

公开(公告)号：

CN101471232A

公开(公告)日：

2009-07-01

发明(设计)人：

郑宇荣

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2102 H01L21033 H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-01	公开	公开
2013-06-12	授权	授权
2009-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101673079191 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL200810125224X 申请日:20080616 授权公告日:20130612 终止日期:20150616

共 50 条

[1]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

沈贵潢 .

中国专利 :CN101471234A ,2009-07-01

[2]

半导体器件的图案形成方法 [P].

黄永善 ;

郑载昌 ;

李晟求 ;

卜喆圭 ;

申起秀 .

中国专利 :CN1233021C ,2004-01-28

[3]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 ;

文承灿 ;

卜喆圭 ;

闵明子 ;

潘槿道 ;

林喜烈 .

中国专利 :CN101145513B ,2008-03-19

[4]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101145515B ,2008-03-19

[5]

半导体器件及形成半导体器件的图案的方法 [P].

李宁浩 ;

沈载煌 ;

罗暎燮 .

中国专利 :CN101764130A ,2010-06-30

[6]

用于形成半导体器件图案的方法及半导体器件的制造方法 [P].

李祥华 ;

李大烨 ;

贺晓彬 ;

李亭亭 ;

刘金彪 ;

杨涛 ;

杨帆 .

中国专利 :CN115346860A ,2022-11-15

[7]

掩模图案、半导体器件和形成半导体器件精细图案的方法 [P].

李洪求 .

韩国专利 :CN119786346A ,2025-04-08

[8]

半导体器件微图案的形成方法 [P].

安相俊 .

中国专利 :CN101419906A ,2009-04-29

[9]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

朴贞珠 ;

金京美 ;

金珉廷 ;

李东峻 ;

金富得 .

中国专利 :CN103048876A ,2013-04-17

[10]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101192515A ,2008-06-04

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