形成半导体器件的图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710122961.X

申请日：

2007-07-04

公开(公告)号：

CN101192515A

公开(公告)日：

2008-06-04

发明(设计)人：

郑载昌

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

G03F700 G03F716

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

顾红霞;张天舒

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586352105 IPC(主分类):H01L 21/027 专利号:ZL200710122961X 申请日:20070704 授权公告日:20091230 终止日期:20130704
2009-12-30	授权	授权
2008-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

沈贵潢 .

中国专利 :CN101471234A ,2009-07-01

[2]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471232A ,2009-07-01

[3]

半导体器件及形成半导体器件的图案的方法 [P].

李宁浩 ;

沈载煌 ;

罗暎燮 .

中国专利 :CN101764130A ,2010-06-30

[4]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

朴贞珠 ;

金京美 ;

金珉廷 ;

李东峻 ;

金富得 .

中国专利 :CN103048876A ,2013-04-17

[5]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

玄灿顺 .

中国专利 :CN102315118A ,2012-01-11

[6]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

金瑞玟 ;

林昌文 .

中国专利 :CN100595884C ,2008-11-19

[7]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

许仲君 .

中国专利 :CN101546694B ,2009-09-30

[8]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

潘槿道 .

中国专利 :CN101399226A ,2009-04-01

[9]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

李基领 .

中国专利 :CN101728324A ,2010-06-09

[10]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

安明圭 .

中国专利 :CN102543851A ,2012-07-04

← 1 2 3 4 5 →