形成半导体器件的图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110420091.0

申请日：

2011-12-15

公开(公告)号：

CN102543851A

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

安明圭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

郭放;许伟群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101559925505 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011104200910 申请日:20111215
2012-07-04	公开	公开
2015-11-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724345956 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011104200910 申请公布日:20120704

共 50 条

[1]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

沈贵潢 .

中国专利 :CN101471234A ,2009-07-01

[2]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471232A ,2009-07-01

[3]

半导体器件及形成半导体器件的图案的方法 [P].

李宁浩 ;

沈载煌 ;

罗暎燮 .

中国专利 :CN101764130A ,2010-06-30

[4]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

朴贞珠 ;

金京美 ;

金珉廷 ;

李东峻 ;

金富得 .

中国专利 :CN103048876A ,2013-04-17

[5]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101192515A ,2008-06-04

[6]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

玄灿顺 .

中国专利 :CN102315118A ,2012-01-11

[7]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

金瑞玟 ;

林昌文 .

中国专利 :CN100595884C ,2008-11-19

[8]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

许仲君 .

中国专利 :CN101546694B ,2009-09-30

[9]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

潘槿道 .

中国专利 :CN101399226A ,2009-04-01

[10]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

李基领 .

中国专利 :CN101728324A ,2010-06-09

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