形成半导体器件的图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910001020.X

申请日：

2009-01-19

公开(公告)号：

CN101546694B

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

许仲君

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035913877 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:200910001020X 申请日:20090119
2015-03-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101601608433 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL200910001020X 申请日:20090119 授权公告日:20120606 终止日期:20140119
2009-09-30	公开	公开
2012-06-06	授权	授权

共 50 条

[1]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

朴贞珠 ;

金京美 ;

金珉廷 ;

李东峻 ;

金富得 .

中国专利 :CN103048876A ,2013-04-17

[2]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

玄灿顺 .

中国专利 :CN102315118A ,2012-01-11

[3]

半导体器件图案的形成方法 [P].

沈贵潢 ;

郑宇煐 .

中国专利 :CN101154583A ,2008-04-02

[4]

形成半导体器件的微小图案的方法 [P].

金钟勋 .

中国专利 :CN1892993A ,2007-01-10

[5]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

张钟光 ;

吴怜默 ;

南瑞祐 ;

全祐撤 ;

李周范 ;

李命柱 .

中国专利 :CN102169825A ,2011-08-31

[6]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

沈贵潢 .

中国专利 :CN101471234A ,2009-07-01

[7]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471232A ,2009-07-01

[8]

半导体器件及形成半导体器件的图案的方法 [P].

李宁浩 ;

沈载煌 ;

罗暎燮 .

中国专利 :CN101764130A ,2010-06-30

[9]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

郑载昌 .

中国专利 :CN101192515A ,2008-06-04

[10]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

金瑞玟 ;

林昌文 .

中国专利 :CN100595884C ,2008-11-19

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