形成半导体器件的图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810135493.4

申请日：

2008-08-07

公开(公告)号：

CN101399226A

公开(公告)日：

2009-04-01

发明(设计)人：

潘槿道

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21822

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

顾红霞;何胜勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-06	授权	授权
2009-04-01	公开	公开
2009-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

李基领 .

中国专利 :CN101728324A ,2010-06-09

[2]

形成半导体器件的图案的方法 [P].

潘槿道 ;

宣俊劦 .

中国专利 :CN101393846A ,2009-03-25

[3]

掩模图案、半导体器件和形成半导体器件精细图案的方法 [P].

李洪求 .

韩国专利 :CN119786346A ,2025-04-08

[4]

半导体器件及用于形成半导体器件的图案的方法 [P].

梁松里 ;

权五益 ;

郑丞弼 ;

金东贤 ;

赵哄 .

中国专利 :CN102386190A ,2012-03-21

[5]

半导体器件和形成图案的方法 [P].

闵柱盛 ;

白在馥 ;

尹泽硅 ;

崔升旭 ;

韩智勋 ;

洪兑允 .

韩国专利 :CN118039612A ,2024-05-14

[6]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

李基领 ;

朴沙路汉 .

中国专利 :CN102082081B ,2011-06-01

[7]

形成半导体器件的微小图案的方法 [P].

金钟勋 .

中国专利 :CN1892993A ,2007-01-10

[8]

形成半导体器件的精细图案的方法 [P].

沈载煌 ;

朴尚容 ;

李宁浩 .

中国专利 :CN101562125A ,2009-10-21

[9]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

沈贵潢 .

中国专利 :CN101471234A ,2009-07-01

[10]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471232A ,2009-07-01

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