形成半导体器件的硬掩模图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710000602.7

申请日：

2007-01-09

公开(公告)号：

CN101154031B

公开(公告)日：

2008-04-02

发明(设计)人：

郑宇荣

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

G03F114

IPC分类号：

G03F100 G03F7004 G03F720 G03F726 H01L21027

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

杨生平;杨红梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-01	授权	授权
2008-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2018-02-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/14 申请日:20070109 授权公告日:20101201 终止日期:20170109
2008-04-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件硬掩模图案及其形成方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101447458A ,2009-06-03

[2]

在半导体器件中形成硬掩模图案的方法 [P].

金相民 ;

郑宇荣 ;

金最东 .

中国专利 :CN101303971A ,2008-11-12

[3]

在半导体器件中形成硬掩模图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101447398B ,2009-06-03

[4]

掩模图案、半导体器件和形成半导体器件精细图案的方法 [P].

李洪求 .

韩国专利 :CN119786346A ,2025-04-08

[5]

形成半导体器件图案的方法 [P].

郑宇荣 ;

沈贵潢 .

中国专利 :CN101471234A ,2009-07-01

[6]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101383270B ,2009-03-11

[7]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471233B ,2009-07-01

[8]

形成半导体器件微图案的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101303972A ,2008-11-12

[9]

半导体器件图案的形成方法 [P].

沈贵潢 ;

郑宇煐 .

中国专利 :CN101154583A ,2008-04-02

[10]

形成用于半导体器件的图案的方法 [P].

李佳颖 ;

丁致远 ;

谢志宏 ;

蔡明兴 ;

章勋明 .

中国专利 :CN103165414B ,2013-06-19

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