膜结构及其制备方法、电子器件

被引：0

申请号：

CN202110728289.9

申请日：

2021-06-29

公开(公告)号：

CN115537741A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

李龙基

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1418 C23C1408 H01L5152

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

刘泳麟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜结构及其制备方法、电子器件 [P].

梁龙跃 ;

刘亚明 ;

胡文 .

中国专利 :CN119758619A ,2025-04-04

[2]

薄膜结构及其制备方法、电子器件 [P].

梁龙跃 ;

刘亚明 ;

胡文 .

中国专利 :CN119758619B ,2025-09-30

[3]

膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法 [P].

金海龙 ;

朴正敏 ;

金容诚 ;

李周浩 .

韩国专利 :CN112993022B ,2024-06-14

[4]

膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法 [P].

金海龙 ;

朴正敏 ;

金容诚 ;

李周浩 .

中国专利 :CN112993022A ,2021-06-18

[5]

磁隧道结结构及其制备方法、自旋电子器件 [P].

王鹤 ;

赵亮 ;

刘波 ;

王志明 ;

刘仲 ;

张贝 ;

骆柏锋 ;

吕前程 ;

杨豪 ;

林均怡 ;

叶震亮 ;

李政凯 ;

顾衍璋 ;

崔文俊 ;

雷一勇 ;

阳浩 .

中国专利 :CN120513019A ,2025-08-19

[6]

电子器件封装结构及其制备方法 [P].

陶源 ;

王德信 ;

胡文华 .

中国专利 :CN117712099A ,2024-03-15

[7]

电子器件及其制备方法 [P].

马库斯·赫默特 ;

托马斯·罗泽诺 .

德国专利 :CN109599494B ,2024-01-23

[8]

电子器件及其制备方法 [P].

吕林静 ;

许继辉 .

中国专利 :CN112978675B ,2021-06-18

[9]

电子器件及其制备方法 [P].

薛静 ;

李必奇 ;

王智勇 ;

宋勇 ;

于洪俊 .

中国专利 :CN114899173A ,2022-08-12

[10]

电子器件及其制备方法 [P].

弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ;

杰罗姆·加尼耶 ;

卡斯滕·罗特 ;

本杰明·舒尔策 .

中国专利 :CN111602259A ,2020-08-28

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