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薄膜结构及其制备方法、电子器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411848951.4
申请日：
2024-12-16
公开(公告)号：
CN119758619A
公开(公告)日：
2025-04-04
发明(设计)人：
梁龙跃 刘亚明 胡文
申请人：
济南晶正电子科技有限公司
申请人地址：
250102 山东省济南市历城区经十东路济南章锦综合保税区晶正园区
IPC主分类号：
G02F1/03
IPC分类号：
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
孟秀娟;刘芳
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-04 公开 公开
2025-09-30 授权 授权
2025-04-22 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/03申请日:20241216
共 50 条
[1]
薄膜结构及其制备方法、电子器件 [P]. 
梁龙跃 ;
刘亚明 ;
胡文 .
中国专利 :CN119758619B ,2025-09-30
[2]
膜结构及其制备方法、电子器件 [P]. 
李龙基 .
中国专利 :CN115537741A ,2022-12-30
[3]
半导体薄膜结构以及包括其的电子器件 [P]. 
朴永焕 ;
金钟燮 ;
金俊溶 ;
朴俊赫 ;
申东澈 ;
吴在浚 ;
丁秀真 ;
黄瑄珪 ;
黄仁俊 .
中国专利 :CN112687732A ,2021-04-20
[4]
半导体薄膜结构以及包括其的电子器件 [P]. 
朴永焕 ;
金钟燮 ;
金俊溶 ;
朴俊赫 ;
申东澈 ;
吴在浚 ;
丁秀真 ;
黄瑄珪 ;
黄仁俊 .
韩国专利 :CN112687732B ,2024-02-02
[5]
铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件 [P]. 
李润姓 ;
许镇盛 ;
金尚昱 ;
文泰欢 ;
赵常玹 .
中国专利 :CN113345795A ,2021-09-03
[6]
铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件 [P]. 
李润姓 ;
许镇盛 ;
金尚昱 ;
文泰欢 ;
赵常玹 .
韩国专利 :CN113345795B ,2025-07-04
[7]
电子器件及其制备方法 [P]. 
弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ;
杰罗姆·加尼耶 ;
卡斯滕·罗特 ;
本杰明·舒尔策 .
中国专利 :CN111602259A ,2020-08-28
[8]
电子器件及其制备方法 [P]. 
弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ;
杰罗姆·加尼耶 ;
卡斯滕·罗特 ;
本杰明·舒尔策 .
德国专利 :CN111602259B ,2024-08-20
[9]
半导体器件的薄膜结构及其制备方法 [P]. 
杨明 ;
阳黎明 ;
晋东坡 ;
罗夏 ;
李钊 ;
黄永彬 .
中国专利 :CN120033143A ,2025-05-23
[10]
薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件 [P]. 
赵常玹 ;
许镇盛 ;
李香淑 ;
金尚昱 ;
李润姓 .
韩国专利 :CN112582539B ,2025-03-21
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