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半导体器件的薄膜结构及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510207697.8
申请日：
2025-02-24
公开(公告)号：
CN120033143A
公开(公告)日：
2025-05-23
发明(设计)人：
杨明 阳黎明 晋东坡 罗夏 李钊 黄永彬
申请人：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H01L23/522
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
杨明莉
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-23 公开 公开
2025-06-10 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20250224
共 50 条
[1]
氮化铝基薄膜结构、半导体器件及其制备方法 [P]. 
周云 ;
宋维聪 .
中国专利 :CN111740004B ,2020-10-02
[2]
薄膜结构半导体器件光电隔离结构及其制造方法 [P]. 
郝茂盛 ;
张楠 ;
袁根如 .
中国专利 :CN111613703A ,2020-09-01
[3]
薄膜结构半导体器件光电隔离结构及其制造方法 [P]. 
郝茂盛 ;
张楠 ;
袁根如 .
中国专利 :CN111613703B ,2024-09-10
[4]
薄膜结构半导体器件光电隔离结构 [P]. 
郝茂盛 ;
张楠 ;
袁根如 .
中国专利 :CN209859966U ,2019-12-27
[5]
一种半导体器件薄膜结构及制备方法 [P]. 
洪学天 ;
王尧林 ;
林和 ;
牛崇实 ;
陈宏 .
中国专利 :CN115425091A ,2022-12-02
[6]
半导体薄膜结构 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208738179U ,2019-04-12
[7]
薄膜结构及其制备方法、电子器件 [P]. 
梁龙跃 ;
刘亚明 ;
胡文 .
中国专利 :CN119758619A ,2025-04-04
[8]
薄膜结构及其制备方法、电子器件 [P]. 
梁龙跃 ;
刘亚明 ;
胡文 .
中国专利 :CN119758619B ,2025-09-30
[9]
半导体器件结构及其制备方法 [P]. 
胡敏达 ;
张海洋 .
中国专利 :CN102693982A ,2012-09-26
[10]
薄膜结构、包括其的半导体器件、晶体管以及半导体装置 [P]. 
崔悳铉 ;
许镇盛 ;
文泰欢 ;
赵常玹 .
中国专利 :CN115440805A ,2022-12-06
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