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薄膜结构、包括其的半导体器件、晶体管以及半导体装置

被引：0
申请号：
CN202210624256.4
申请日：
2022-06-02
公开(公告)号：
CN115440805A
公开(公告)日：
2022-12-06
发明(设计)人：
崔悳铉 许镇盛 文泰欢 赵常玹
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L2951
IPC分类号：
H01L2978
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
翟然
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-12-06 公开 公开
共 50 条
[1]
晶体管、半导体器件以及半导体模块 [P]. 
许基宰 ;
山田悟 ;
林濬熙 ;
张成豪 .
中国专利 :CN107256889A ,2017-10-17
[2]
晶体管、半导体器件以及半导体模块 [P]. 
许基宰 ;
山田悟 ;
林濬熙 ;
张成豪 .
中国专利 :CN103367401A ,2013-10-23
[3]
包括晶体管的半导体器件 [P]. 
高东辰 .
韩国专利 :CN119584549A ,2025-03-07
[4]
薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
宫永昭治 ;
小山润 ;
福永健司 .
中国专利 :CN1909199A ,2007-02-07
[5]
薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
宫永昭治 ;
小山润 ;
福永健司 .
中国专利 :CN1532947A ,2004-09-29
[6]
半导体器件以及包括半导体器件的半导体装置 [P]. 
C·R·米勒 ;
S·布施霍恩 ;
J·G·拉文 .
中国专利 :CN112054022A ,2020-12-08
[7]
半导体装置以及晶体管 [P]. 
中泽安孝 ;
肥塚纯一 ;
羽持贵士 .
中国专利 :CN114068724A ,2022-02-18
[8]
包括晶体管的半导体器件 [P]. 
A·迈泽尔 ;
T·施勒塞尔 .
中国专利 :CN106057898A ,2016-10-26
[9]
半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P]. 
叶俐君 ;
O·布兰克 ;
H·霍费尔 ;
M·胡茨勒 ;
R·西米尼克 .
:CN121057260A ,2025-12-02
[10]
半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法 [P]. 
叶俐君 ;
O·布兰克 ;
H·霍费尔 ;
M·胡茨勒 ;
R·西米尼克 .
:CN113257886B ,2025-09-19
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