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一种半导体器件薄膜结构及制备方法

被引：0
申请号：
CN202211225080.1
申请日：
2022-10-09
公开(公告)号：
CN115425091A
公开(公告)日：
2022-12-02
发明(设计)人：
洪学天 王尧林 林和 牛崇实 陈宏
申请人：
申请人地址：
030021 山西省太原市中北高新技术产业开发区阳兴南街丰源西路
IPC主分类号：
H01L29808
IPC分类号：
H01L2945 H01L21337
代理机构：
北京冠和权律师事务所 11399
代理人：
张树朋
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-12-20 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/808 申请日:20221009
2022-12-02 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件的薄膜结构及其制备方法 [P]. 
杨明 ;
阳黎明 ;
晋东坡 ;
罗夏 ;
李钊 ;
黄永彬 .
中国专利 :CN120033143A ,2025-05-23
[2]
薄膜结构半导体器件光电隔离结构 [P]. 
郝茂盛 ;
张楠 ;
袁根如 .
中国专利 :CN209859966U ,2019-12-27
[3]
一种利用分子束外延制备半导体器件的方法及半导体器件 [P]. 
冯巍 ;
谢小刚 .
中国专利 :CN111243953A ,2020-06-05
[4]
氮化铝基薄膜结构、半导体器件及其制备方法 [P]. 
周云 ;
宋维聪 .
中国专利 :CN111740004B ,2020-10-02
[5]
薄膜结构半导体器件光电隔离结构及其制造方法 [P]. 
郝茂盛 ;
张楠 ;
袁根如 .
中国专利 :CN111613703A ,2020-09-01
[6]
薄膜结构半导体器件光电隔离结构及其制造方法 [P]. 
郝茂盛 ;
张楠 ;
袁根如 .
中国专利 :CN111613703B ,2024-09-10
[7]
半导体薄膜结构 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208738179U ,2019-04-12
[8]
一种功率半导体器件的低应力薄膜结构 [P]. 
张鸿鑫 ;
刘国友 ;
罗海辉 ;
谭灿健 ;
唐智慧 ;
冯宇 ;
丁杰 .
中国专利 :CN111106073B ,2020-05-05
[9]
薄膜结构及其制备方法、图案转移方法及半导体结构 [P]. 
叶传瑶 .
中国专利 :CN117410171A ,2024-01-16
[10]
一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法 [P]. 
刘国友 ;
张鸿鑫 ;
罗海辉 ;
谭灿健 ;
贺洪露 ;
张大华 .
中国专利 :CN106898582A ,2017-06-27
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