一种功率半导体器件的低应力薄膜结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811257130.8

申请日：

2018-10-26

公开(公告)号：

CN111106073B

公开(公告)日：

2020-05-05

发明(设计)人：

张鸿鑫刘国友罗海辉谭灿健唐智慧冯宇丁杰

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2329

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;何娇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-05	公开	公开
2022-08-05	授权	授权
2020-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20181026
2020-10-23	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 23/31 登记生效日:20200929 变更事项:申请人变更前权利人:株洲中车时代电气股份有限公司变更后权利人:株洲中车时代半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号变更后权利人:412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

共 50 条

[1]

一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

曾丹 ;

史波 ;

刘勇强 .

中国专利 :CN112768504A ,2021-05-07

[2]

一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

曾丹 ;

史波 ;

刘勇强 .

中国专利 :CN211182210U ,2020-08-04

[3]

一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

曾丹 ;

史波 ;

刘勇强 .

中国专利 :CN112768504B ,2025-07-08

[4]

薄膜结构半导体器件光电隔离结构 [P].

郝茂盛 ;

张楠 ;

袁根如 .

中国专利 :CN209859966U ,2019-12-27

[5]

一种功率半导体器件终端结构及功率半导体器件 [P].

张中华 ;

刘根 ;

方自力 ;

韩永乐 ;

王光明 ;

苗笑宇 .

中国专利 :CN106992207A ,2017-07-28

[6]

半导体器件的薄膜结构及其制备方法 [P].

杨明 ;

阳黎明 ;

晋东坡 ;

罗夏 ;

李钊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN120033143A ,2025-05-23

[7]

一种半导体器件薄膜结构及制备方法 [P].

洪学天 ;

王尧林 ;

林和 ;

牛崇实 ;

陈宏 .

中国专利 :CN115425091A ,2022-12-02

[8]

半导体薄膜结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208738179U ,2019-04-12

[9]

功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 .

中国专利 :CN102208436B ,2011-10-05

[10]

功率半导体器件的散热结构及功率半导体器件 [P].

曹俊 .

中国专利 :CN217933772U ,2022-11-29

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