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一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911069443.5
申请日：
2019-11-05
公开(公告)号：
CN112768504A
公开(公告)日：
2021-05-07
发明(设计)人：
曾丹 史波 刘勇强
申请人：
申请人地址：
519070 广东省珠海市前山金鸡西路789号
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L21336 H01L21331
代理机构：
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291
代理人：
刘红彬
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-05-25 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20191105
2021-05-07 公开 公开
共 50 条
[1]
一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P]. 
曾丹 ;
史波 ;
刘勇强 .
中国专利 :CN211182210U ,2020-08-04
[2]
一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P]. 
曾丹 ;
史波 ;
刘勇强 .
中国专利 :CN112768504B ,2025-07-08
[3]
一种功率半导体器件终端结构及功率半导体器件 [P]. 
张中华 ;
刘根 ;
方自力 ;
韩永乐 ;
王光明 ;
苗笑宇 .
中国专利 :CN106992207A ,2017-07-28
[4]
功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P]. 
周振强 ;
江堂华 ;
吴家键 ;
蔡桥斌 .
中国专利 :CN102208436B ,2011-10-05
[5]
功率半导体器件的终端及功率半导体器件 [P]. 
周振强 ;
江堂华 ;
吴家键 ;
蔡桥斌 ;
杨飒飒 .
中国专利 :CN102208435B ,2011-10-05
[6]
功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件 [P]. 
高明超 ;
王耀华 ;
魏晓光 ;
李立 ;
李宋伟 ;
唐新灵 ;
刘瑞 ;
李玲 ;
苑广安 ;
纪瑞朗 ;
吴沛飞 .
中国专利 :CN118748201A ,2024-10-08
[7]
功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件 [P]. 
高明超 ;
王耀华 ;
魏晓光 ;
李立 ;
李宋伟 ;
唐新灵 ;
刘瑞 ;
李玲 ;
苑广安 ;
纪瑞朗 ;
吴沛飞 .
中国专利 :CN118748201B ,2025-06-06
[8]
功率半导体器件的散热结构及功率半导体器件 [P]. 
曹俊 .
中国专利 :CN217933772U ,2022-11-29
[9]
功率半导体器件的终端结构 [P]. 
王凡 .
中国专利 :CN217035645U ,2022-07-22
[10]
功率半导体器件的终端结构 [P]. 
王凡 .
中国专利 :CN217062101U ,2022-07-26
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