功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410889910.3

申请日：

2024-07-04

公开(公告)号：

CN118748201B

公开(公告)日：

2025-06-06

发明(设计)人：

高明超王耀华魏晓光李立李宋伟唐新灵刘瑞李玲苑广安纪瑞朗吴沛飞

申请人：

北京怀柔实验室

申请人地址：

101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D18/00 H10D18/01

代理机构：

北京智专天权知识产权代理有限公司 16248

代理人：

杜秋雨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-08	公开	公开
2025-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20240704
2025-06-06	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

李宋伟 ;

唐新灵 ;

刘瑞 ;

李玲 ;

苑广安 ;

纪瑞朗 ;

吴沛飞 .

中国专利 :CN118748201A ,2024-10-08

[2]

功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 .

中国专利 :CN102208436B ,2011-10-05

[3]

功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率器件 [P].

魏晓光 ;

李立 ;

王耀华 ;

高明超 ;

刘瑞 ;

李玲 .

中国专利 :CN117810251A ,2024-04-02

[4]

功率半导体器件的终端及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 ;

杨飒飒 .

中国专利 :CN102208435B ,2011-10-05

[5]

功率半导体器件以及制造功率半导体器件的方法 [P].

让·米切尔·雷内斯 ;

斯特凡·阿尔维斯 ;

阿兰·德朗 ;

布兰迪诺·洛佩斯 ;

乔尔·马尔盖里塔 .

中国专利 :CN101228636A ,2008-07-23

[6]

功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法 [P].

苏梨梨 ;

曹俊 ;

敖利波 ;

史波 ;

马浩华 .

中国专利 :CN113394204B ,2021-09-14

[7]

一种功率半导体器件终端结构及功率半导体器件 [P].

张中华 ;

刘根 ;

方自力 ;

韩永乐 ;

王光明 ;

苗笑宇 .

中国专利 :CN106992207A ,2017-07-28

[8]

功率半导体器件终端、终端的制备方法及功率半导体器件 [P].

高明超 ;

金锐 ;

王耀华 .

中国专利 :CN113725293A ,2021-11-30

[9]

一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

曾丹 ;

史波 ;

刘勇强 .

中国专利 :CN112768504A ,2021-05-07

[10]

一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

曾丹 ;

史波 ;

刘勇强 .

中国专利 :CN211182210U ,2020-08-04

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