功率半导体器件的终端结构

被引：0

申请号：

CN202121002290.5

申请日：

2021-05-11

公开(公告)号：

CN217035645U

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

王凡

申请人：

申请人地址：

上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路169号、张东路1658号1幢8层810室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29739 H01L2978

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件的终端结构 [P].

王凡 .

中国专利 :CN217062101U ,2022-07-26

[2]

功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

周振强 ;

江堂华 ;

吴家键 ;

蔡桥斌 .

中国专利 :CN102208436B ,2011-10-05

[3]

功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

李宋伟 ;

唐新灵 ;

刘瑞 ;

李玲 ;

苑广安 ;

纪瑞朗 ;

吴沛飞 .

中国专利 :CN118748201A ,2024-10-08

[4]

功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率半导体器件 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

魏晓光 ;

李立 ;

李宋伟 ;

唐新灵 ;

刘瑞 ;

李玲 ;

苑广安 ;

纪瑞朗 ;

吴沛飞 .

中国专利 :CN118748201B ,2025-06-06

[5]

一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

曾丹 ;

史波 ;

刘勇强 .

中国专利 :CN112768504A ,2021-05-07

[6]

一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

曾丹 ;

史波 ;

刘勇强 .

中国专利 :CN211182210U ,2020-08-04

[7]

一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件 [P].

曾丹 ;

史波 ;

刘勇强 .

中国专利 :CN112768504B ,2025-07-08

[8]

一种功率半导体器件的终端结构 [P].

沈良金 .

中国专利 :CN218471949U ,2023-02-10

[9]

一种功率半导体器件终端结构及功率半导体器件 [P].

张中华 ;

刘根 ;

方自力 ;

韩永乐 ;

王光明 ;

苗笑宇 .

中国专利 :CN106992207A ,2017-07-28

[10]

一种功率半导体器件终端结构 [P].

朱袁正 ;

张硕 .

中国专利 :CN207967000U ,2018-10-12

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