一种半导体器件金属薄膜结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510961041.1

申请日：

2015-12-18

公开(公告)号：

CN106898582A

公开(公告)日：

2017-06-27

发明(设计)人：

刘国友张鸿鑫罗海辉谭灿健贺洪露张大华

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

IPC主分类号：

H01L2312

IPC分类号：

H01L2158

代理机构：

湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008

代理人：

赵洪

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/12 登记生效日:20201020 变更事项:专利权人变更前权利人:株洲中车时代电气股份有限公司变更后权利人:株洲中车时代半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号变更后权利人:412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
2017-06-27	公开	公开
2019-05-31	授权	授权
2020-10-30	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/12 变更事项:专利权人变更前:株洲南车时代电气股份有限公司变更后:株洲中车时代电气股份有限公司变更事项:地址变更前:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号变更后:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号
2017-07-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101736028904 IPC(主分类):H01L 23/12 专利申请号:2015109610411 申请日:20151218

共 50 条

[1]

掩膜结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

徐正弘 .

中国专利 :CN119381249A ,2025-01-28

[2]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[3]

半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P].

叶李欣 ;

杨弘 .

中国专利 :CN115394709A ,2022-11-25

[4]

半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P].

梅敏 ;

袁娜 ;

吴柱锋 .

中国专利 :CN119275202A ,2025-01-07

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

檀遵锟 ;

游晶晶 ;

吴坤林 ;

刘韦廷 .

中国专利 :CN118354604A ,2024-07-16

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

徐汉东 ;

李晓杰 ;

谢涛 .

中国专利 :CN120417378A ,2025-08-01

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

张钦福 ;

许艺蓉 ;

王友长 .

中国专利 :CN119110582A ,2024-12-10

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

徐汉东 ;

李晓杰 ;

谢涛 .

中国专利 :CN120417378B ,2025-09-19

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

张钦福 ;

许艺蓉 ;

王友长 .

中国专利 :CN119110582B ,2025-10-21

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

张永会 .

中国专利 :CN113707641A ,2021-11-26

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