掩膜结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410765298.9

申请日：

2024-06-13

公开(公告)号：

CN119381249A

公开(公告)日：

2025-01-28

发明(设计)人：

徐正弘

申请人：

深圳市昇维旭技术有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104

IPC主分类号：

H01L21/027

IPC分类号：

代理机构：

深圳市联鼎知识产权代理有限公司 44232

代理人：

刘抗美

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/027申请日:20240613
2025-01-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

李军辉 ;

杨乾 .

中国专利 :CN117995772A ,2024-05-07

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

向长虎 .

中国专利 :CN114678279A ,2022-06-28

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109037330A ,2018-12-18

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

胡敏达 ;

周俊卿 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102543845A ,2012-07-04

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

文豪 ;

占兆武 ;

庞振江 ;

卜小松 ;

廖刚 ;

冯少力 .

中国专利 :CN119208366A ,2024-12-27

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

王于波 ;

付振 ;

邵瑾 ;

曹艳荣 ;

刘芳 ;

钟明琛 ;

张宏涛 ;

张龙涛 ;

任晨 ;

王敏 ;

马毛旦 ;

张鹏 .

中国专利 :CN113889537B ,2022-01-04

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

檀遵锟 ;

游晶晶 ;

吴坤林 ;

刘韦廷 .

中国专利 :CN118354604A ,2024-07-16

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

朱会超 ;

蔡富吉 ;

王文轩 .

中国专利 :CN119153320B ,2025-02-21

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

苏茂华 .

中国专利 :CN119403149A ,2025-02-07

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