半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111482363.X

申请日：

2021-12-07

公开(公告)号：

CN113889537B

公开(公告)日：

2022-01-04

发明(设计)人：

赵东艳陈燕宁王于波付振邵瑾曹艳荣刘芳钟明琛张宏涛张龙涛任晨王敏马毛旦张鹏

申请人：

申请人地址：

102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L21762

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

李红

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-04	公开	公开
2022-03-04	授权	授权
2022-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20211207

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109524461A ,2019-03-26

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

张钦福 ;

许艺蓉 ;

王友长 .

中国专利 :CN119110582A ,2024-12-10

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

张钦福 ;

许艺蓉 ;

王友长 .

中国专利 :CN119110582B ,2025-10-21

[4]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

李军辉 ;

杨乾 .

中国专利 :CN117995772A ,2024-05-07

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

向长虎 .

中国专利 :CN114678279A ,2022-06-28

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109037330A ,2018-12-18

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

文豪 ;

占兆武 ;

庞振江 ;

卜小松 ;

廖刚 ;

冯少力 .

中国专利 :CN119208366A ,2024-12-27

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

李新 ;

应战 .

中国专利 :CN112885897B ,2024-05-14

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

檀遵锟 ;

游晶晶 ;

吴坤林 ;

刘韦廷 .

中国专利 :CN118354604A ,2024-07-16

← 1 2 3 4 5 →