铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011319958.9

申请日：

2020-11-23

公开(公告)号：

CN113345795B

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

李润姓许镇盛金尚昱文泰欢赵常玹

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H10D64/68 H10D30/60 H10D84/83

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

马晓蒙

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件 [P].

李润姓 ;

许镇盛 ;

金尚昱 ;

文泰欢 ;

赵常玹 .

中国专利 :CN113345795A ,2021-09-03

[2]

铁电薄膜结构、形成其的方法和系统及包括其的电子器件 [P].

李润姓 ;

金尚昱 ;

赵常玹 ;

许镇盛 ;

李香淑 .

中国专利 :CN112563323A ,2021-03-26

[3]

反铁电薄膜结构和电子器件、存储单元、电子装置 [P].

朴报恩 ;

金容诚 ;

宋政奎 ;

李周浩 .

中国专利 :CN115692482A ,2023-02-03

[4]

半导体薄膜结构以及包括其的电子器件 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴俊赫 ;

申东澈 ;

吴在浚 ;

丁秀真 ;

黄瑄珪 ;

黄仁俊 .

韩国专利 :CN112687732B ,2024-02-02

[5]

半导体薄膜结构以及包括其的电子器件 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 ;

金俊溶 ;

朴俊赫 ;

申东澈 ;

吴在浚 ;

丁秀真 ;

黄瑄珪 ;

黄仁俊 .

中国专利 :CN112687732A ,2021-04-20

[6]

包括铁电薄膜的电子器件、半导体器件和制造铁电薄膜的方法 [P].

李润姓 ;

许镇盛 ;

金起弘 ;

崔德铉 ;

李泫宰 ;

赵常玹 .

韩国专利 :CN118159034A ,2024-06-07

[7]

膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法 [P].

金海龙 ;

朴正敏 ;

金容诚 ;

李周浩 .

韩国专利 :CN112993022B ,2024-06-14

[8]

膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法 [P].

金海龙 ;

朴正敏 ;

金容诚 ;

李周浩 .

中国专利 :CN112993022A ,2021-06-18

[9]

薄膜结构及其制备方法、电子器件 [P].

梁龙跃 ;

刘亚明 ;

胡文 .

中国专利 :CN119758619A ,2025-04-04

[10]

薄膜结构及其制备方法、电子器件 [P].

梁龙跃 ;

刘亚明 ;

胡文 .

中国专利 :CN119758619B ,2025-09-30

← 1 2 3 4 5 →